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英飞凌科技CoolSiC MOSFET 1200V评估平台的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-22

摘要： 英飞凌技术CoolSiC MOSFET 1200V评估平台演示了45毫欧CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET (IMZ120R045M1)与EiceDriver 栅极驱动芯片耦合时的特性。评估平台包括一个模块化主板...

英飞凌技术CoolSiC MOSFET 1200V评估平台演示了45毫欧CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET (IMZ120R045M1)与EiceDriver 栅极驱动芯片耦合时的特性。评估平台包括一个模块化主板(EVALPSSICDPMAINTOBO1)、一个Miller钳子板(REFPSSICDP1TOBO1)和一个双极电源子板(REFPSSICDP2TOBO1)。

特性

CoolSiC MOSFET 1200V主板
- V(CC2)栅极驱动电压电源从-5V到+20V
- V(CC1)电源固定在+5V
- 栅极连接通过SMA BNC连接器
- 通过可选的同轴分流电流测量
- 优化的换向回路
- 外部负载电感连接
- 包括散热片

米勒夹子板
- 最小栅极驱动回路
- R(g)开、R(g)关可调
- V(CC2) +15V到0V GND
- 主动铣刀夹紧功能
双极子板供应
- 最小栅极驱动回路
- R(g)开、R(g)关可调
- V(CC2) +15V到-5V GND2
- 负极供电的可能性

板布局

框图

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