安森美半导体NVMFS5C628N功率场效应晶体管结构紧凑，设计高效，具有高热性能的汽车功率场效应晶体管。这些mosfet采用5mm×6mm扁平铅封装，包括可湿性侧面选项，用于增强光学检查。nvmfsc5c628n功率mosfet具有低R特性 (DS  ), Q (G)，以及使导通和开关损耗最小化的栅极电容。典型的应用包括反向电池保护、开关电源、电源开关、电磁驱动器、电机控制和负载开关。

特性

• 占地面积小(5mm×6mm)，设计紧凑

• 汽车设计

• 低R(DS(on))以减少传导损耗

• 低Q(G)和电容，以减少驱动器损耗

• nvmfsc5c628nwf -可湿侧选项，增强光学检查

• AEC-Q101合格，PPAP能力强

• 无铅，符合RoHS要求

应用程序

• 换向器电池保护

• 开关电源

• 电源开关

• 螺线管驱动器

• 电机控制

• 负荷开关