IXYS XPT GenX4 Trench igbt的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-22

摘要： IXYS XPT GenX4 沟槽IGBT采用专有的XPT薄晶片技术和最先进的第4代(GenX4 )沟槽IGBT工艺开发。这些绝缘栅双极晶体管具有低热阻、低能量损耗、快速开关、低尾电流和高电流密度的特点。该设备在开关和短路条件下表现出非凡的...

IXYS XPT GenX4 沟槽IGBT采用专有的XPT薄晶片技术和最先进的第4代(GenX4 )沟槽IGBT工艺开发。这些绝缘栅双极晶体管具有低热阻、低能量损耗、快速开关、低尾电流和高电流密度的特点。该设备在开关和短路条件下表现出非凡的坚固性。

这些通孔igbt还提供了方形反向偏压安全工作区(RBSOA)，击穿电压高达1200V，使其成为不需要缓冲器的硬开关应用的理想选择。超低v (sat) IGBT提供高达5kHz的开关。IXYS XPT第4代沟槽igbt包括一个正的集电极-发射极电压温度系数。这使得设计者可以使用多个器件并联来满足高电流要求和低栅电荷，这有助于减少栅驱动要求和开关损耗。

典型的应用包括电池充电器、灯镇流器、电机驱动器、电源逆变器、功率因数校正(PFC)电路、开关电源、不间断电源(UPS)和焊机。