安森美半导体NTHL0x0N090SC1 SiC上，功率场效应晶体管是碳化硅n通道场效应晶体管。这些Sic mosfet实现了一种全新的技术，提供了卓越的开关性能和高可靠性。NTHL0x0N090SC1功率mosfet具有低通阻和紧凑的芯片尺寸，确保低电容和栅极电荷。这些NTHL0x0N090SC1 SiC功率mosfet提供了诸如最高效率、更快的操作频率、增加的功率密度、减少EMI和减小系统尺寸等优点。典型的应用包括UPS, DC-DC变换器，升压逆变器，太阳能和电力设备。

特性

• 碳化硅n通道功率场效应晶体管

• 超低闸极电荷

• 结温度高

• 优越的切换性能

• 更高的可靠性

• 低通电阻和紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅极电荷

• 最高的效率

• 更快的操作频率

• 增加功率密度

• 减少电磁干扰

• 减少系统的大小

• 900 v评级

• 100% UIL测试

• 通过无铅认证

应用程序

• 联合包裹

• 直流-直流转换器

• 提高逆变器

• 太阳能

• 电力设备