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摘要： 安森美半导体的nbls1d5n08mc n通道功率MOSFET具有低R特性 (DS(on))，电容和Q (G)尽量减少传导损耗和驱动器损耗。该功率MOSFET降低开关噪声，工作在80V ((BR) DSS), 298 (D(max))和1.5.
安森美半导体的nbls1d5n08mc n通道功率MOSFET具有低R特性 (DS(on))，电容和Q (G)尽量减少传导损耗和驱动器损耗。该功率MOSFET降低开关噪声，工作在80V ((BR) DSS), 298 (D(max))和1.53毫欧R (DS )在10 v。典型的应用包括电动工具，电池操作的真空吸尘器，无人机/无人机，材料处理，BMS /存储，和家庭自动化。
低R(DS(on))以减少传导损耗
低Q(G)和电容，以减少驱动器损耗
降低开关噪音/ EMI
无Pb-、无卤素/无BFR、符合RoHS要求
电动工具和电池驱动的吸尘器
无人机和物料搬运
BMS /存储和家庭自动化
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