德州仪器LMG341xR150 GaN FET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-22

摘要： 德州仪器LMG341xR150 GaN FET集成驱动和保护，使设计人员在电力电子系统中实现功率密度和效率的新水平。LMG341xR150 GaN FET具有超低输入和输出电容，零反向恢复，减少高达80%的开关损耗，低开关节点振铃，以减少E...

德州仪器LMG341xR150 GaN FET集成驱动和保护，使设计人员在电力电子系统中实现功率密度和效率的新水平。LMG341xR150 GaN FET具有超低输入和输出电容，零反向恢复，减少高达80%的开关损耗，低开关节点振铃，以减少EMI。这些特性允许像图腾柱PFC那样密集而高效的拓扑结构。

LMG341xR150通过集成一组独特的特性，简化设计，最大化可靠性，优化任何电源的性能，提供了传统cascode GaN和独立GaN fet的智能替代方案。

集成栅极驱动器允许100V/ns切换，VDS铃声接近于零。小于100ns的电流限制响应可以自I保护防止意外击穿事件。超温关机防止热失控，系统接口信号提供自I监控能力。

特性

支持高密度功率转换设计
- 与cascode或独立的GaN fet相比，优越的系统性能
- 低电感8mm×8mm QFN包便于设计和布局
- 可调驱动强度的开关性能和EMI控制
- 数字故障状态输出信号
- 只需要+12V的非调节电源
集成门驱动器
- 共源电感为零
- 用于高频设计的20ns传播延迟
- 调整栅偏置电压以补偿门限变化，确保可靠的开关
- 25V/ns至100V/ns可调回转速度