安森美半导体的NTTFS1D2N02P1E功率MOSFET是一个1mW, 180A，和25V n通道功率MOSFET，提供了诸如最小化传导损耗和驱动损耗等优点。功率MOSFET具有低R(DS(on)，)低Q(G)，和电容。这种n通道功率MOSFET设计紧凑，占地面积小，采用先进的3.3mm×3.3mm功率封装技术，并提供出色的热性能。典型的应用包括直流-直流转换器、电力负载开关和二次整流。

特性

• 设计紧凑，占地面积小，采用先进的3.3mm×3.3mm封装技术

• 优异的热性能

• 低R(DS(on))以减少传导损耗

• 低Q(G)和电容，以减少驱动器损耗

• 无铅，无卤素/无bfr，符合RoHS要求

规范

• 25 v drain-to-source电压

• 180I(D)连续漏极电流

• 1毫欧R(DS(on))在10V

• -55°C ~ 150°C工作结和存储温度

应用程序

• 直流-直流转换器

• 电力负荷开关

• 笔记本电池管理

• 二次整流

• 波尔

• 服务器

• 电信设备

• 高端笔记本