摘要: GaN驱动评估板旨在取代现有半桥/全桥电源中使用的驱动和功率mosfet。这些评估板突出了在高电压图腾柱配置中驱动两个氮化镓电源开关所需要的性能和最小组件。典型的应用包括离线电源变换器拓扑,如LLC、移相全桥、柱极PFC、有源箝位反激/正激...
安森美GaN驱动评估板旨在取代现有半桥/全桥电源中使用的驱动和功率mosfet。这些评估板突出了在高电压图腾柱配置中驱动两个氮化镓电源开关所需要的性能和最小组件。典型的应用包括离线电源变换器拓扑,如LLC、移相全桥、柱极PFC、有源箝位反激/正激、双有源桥、Phi-2和高压同步降压。
离线电源变换器拓扑:
有限责任公司
相移全桥
图腾柱PFC
有源箝位反激和前激
双重积极的桥梁
Phi-2和高压同步降压
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