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ON Semiconductor afghanl75t65sqdx Field Stop Trench igbt的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-21

摘要： 在半导体上，阿富汗75t65sqdx场停止沟槽IGBT实现场停止第四代高速IGBT技术。这些场停止沟槽igbt为汽车应用中的硬开关和软开关拓扑提供了最佳性能。igbt的特点是参数分布紧密，开关速度快且非常低，以及导通损耗。典型的应用包括PF...

在半导体上，阿富汗75t65sqdx场停止沟槽IGBT实现场停止第四代高速IGBT技术。这些场停止沟槽igbt为汽车应用中的硬开关和软开关拓扑提供了最佳性能。igbt的特点是参数分布紧密，开关速度快且非常低，以及导通损耗。典型的应用包括PFC、硬开关、DC-DC变换器、汽车、xEV车载和车载充电器以及工业逆变器。

特性

现场停止第四代高速IGBT技术
提供最佳性能的硬交换和软交换拓扑
AEC-Q101合格
75年,一个输入电流
650 v输入电压
传导损失

正温度系数
严格的参数分布
快速切换
175°C最大结温
1.6V(CE(Sat))低饱和电压@ I(C)=75A
100%的零件都经过薄膜测试
更高的可靠性

应用程序

图腾柱无桥式PFC
直流-直流转换器
汽车

xEV上、下车载充电器
工业逆变器

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