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Microsemi / Microchip碳化硅(SiC)半导体的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-20

摘要： 碳化硅(SiC)半导体是电力电子设计人员寻求提高系统效率、更小的外形系数和更高的工作温度的创新选择，产品涵盖工业、医疗、军事/航空航天、航空和通信市场细分。Microchip的下一代SiC mosfet和SiC肖特基势垒二极管(SBDs)设...

碳化硅(SiC)半导体是电力电子设计人员寻求提高系统效率、更小的外形系数和更高的工作温度的创新选择，产品涵盖工业、医疗、军事/航空航天、航空和通信市场细分。Microchip的下一代SiC mosfet和SiC肖特基势垒二极管(SBDs)设计具有高重复无钳位感应开关(UIS)能力，其SiC mosfet保持高UIS能力约为10至15焦耳/平方厘米(J/cm2)，并在3至5微秒时提供强大的短路保护。微芯片的SiC sbd设计具有平衡的浪涌电流、正向电压、热阻和热电容额定值，在低反向电流时可以降低开关损耗。此外，它的SiC MOSFET和SiC SBD模具可以成对使用在模块中。

特性

极低的开关损耗
零反向回收费，提高系统效率
高功率密度
占地面积更小的设备减少了系统的体积和重量
高导热系数
导热系数比硅高2.5倍

水槽需求减少
降低成本，缩小尺寸
高温操作
增加功率密度和提高可靠性

应用程序

国防
工业
医疗
光伏解决方案

动力系统和电动汽车充电
雷达电子战
雷达-雷达射频前端
空间

选择指南

功率半导体，功率模块和射频功率mosfet目录

碳化硅产品宣传册

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