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英飞凌650V CoolSiC M1沟槽功率mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-20

摘要： 英飞凌650V CoolSiC M1沟槽功率mosfet结合了碳化硅的强大物理特性，并具有提高器件性能、健壮性和易用性的独特特性。CoolSiC M1 mosfet采用最先进的trench半导体工艺，优化后既能提供最低的应用损耗，又能提供最...

英飞凌650V CoolSiC M1沟槽功率mosfet结合了碳化硅的强大物理特性，并具有提高器件性能、健壮性和易用性的独特特性。CoolSiC M1 mosfet采用最先进的trench半导体工艺，优化后既能提供最低的应用损耗，又能提供最高的运行可靠性。这些设备适用于高温和恶劣的作业环境，能够简化部署，节约成本，提高系统效率。

CoolSiC M1 mosfet提供紧凑到247 3-pin/4-pin封装，无铅，无卤素，并符合RoHS标准。

特性

低的功放
在高电流下优化的开关行为
低反向恢复电荷(Q(rr))的整流鲁棒快体二极管
卓越的栅极氧化物可靠性
优秀的热行为
雪崩能力增加
与标准驱动程序一起工作

高性能、高可靠性和易用性
允许高系统效率
降低系统成本和复杂性
允许更小的系统尺寸
在具有连续硬换相的拓扑中工作
适用于高温和恶劣的作业环境
支持双向拓扑

应用程序

服务器
电信
smp
能量储存和电池形成
太阳能系统/太阳能光伏逆变器

联合包裹
电动汽车充电设施
马达驱动器
D类放大器

资源

产品简短
应用说明:CoolSiC 650V M1 MOSFET沟槽电源装置
解决方案简介:结合CoolSiC, CoolMOS 和eicdriver

封装轮廓(TO-247 3针)

封装轮廓(TO-247 4针)

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