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英飞凌2ED218x 650V大电流半桥栅极驱动器的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-19

摘要： 英飞凌2ED218x高电流650V, 2.5A，半桥SOI门驱动器在DSO-8或DSO-14封装中提供了集成的自举二极管。2ED218x结合了高电流和高速，以典型的2.5A吸收和源电流驱动mosfet和igbt。2ED218x 650V大电...

英飞凌2ED218x高电流650V, 2.5A，半桥SOI门驱动器在DSO-8或DSO-14封装中提供了集成的自举二极管。2ED218x结合了高电流和高速，以典型的2.5A吸收和源电流驱动mosfet和igbt。

2ED218x 650V大电流驱动器基于绝缘体上硅(SOI)技术。SOI-technology是一种高电压、水平移动技术，提供独特的、可测量的和一流的优势。这些包括集成自举二极管(BSD)和行业中最好的鲁棒性，以保护对负瞬态电压尖峰。该技术还可以降低电平偏移功率损耗，从而使器件开关功率损耗最小化。先进的工艺允许单片高压和低压电路结构与技术增强的好处。

2ED218x大电流650V, 2.5A，半桥SOI栅极驱动器对VS引脚上的负瞬态电压具有出色的强度和抗噪声能力。器件中没有寄生晶闸管结构，因此在任何温度和电压条件下都没有寄生锁存。

特性

工作电压(VS节点)高达+650V
负抗瞬态电压为100V
集成超高速、低阻自举二极管，降低BOM成本
高电压和低电压引脚分离最大漏电和间隙
逻辑和电源地线分开
浮动通道设计自举操作

最大供电电压为25V
两个通道独立的低电压锁定(UVLO)
200 ns传播延迟
欣、林输入逻辑
逻辑运算高达-11V on VS引脚
输入-5V的负电压容限
浮动通道可用于驱动n通道MOSFET、SiC MOSFET或IGBT的高侧配置

应用程序

电机控制与驱动
轻型电动汽车(LEV)
Multicopters和无人驾驶飞机
开关模式电源(SMPS)
不间断电源(UPS)
电动工具

服务机器人
家用电器
LED照明
电动汽车充电
电池的形成

框图

典型的应用程序

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