英飞凌技术600V CoolMOS PFD7 SJ功率MOSFET的介绍、特性、及应用 - 华强商城

电子元器件产业互联网平台

焦点资讯商城动态独家观点业界资讯行情分析

技术方案 DataSheet 传感器连接器

国内展会商城促销视频

原厂资讯原厂专区合作入驻

您所在的位置：首页 > 技术资料 > 技术方案 > 英飞凌技术600V CoolMOS PFD7 SJ功率MOSFET的介绍、特性、及应用

Semiconductors

英飞凌技术600V CoolMOS PFD7 SJ功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-19

摘要： 英飞凌600V CoolMOS PFD7 SJ功率mosfet是一项革命性的高压功率mosfet技术，根据超结(SJ)原理设计，由英飞凌首创。最新的CoolMOS PFD7是一个优化的平台，专门针对消费市场中的成本敏感应用，如充电器、适配器...

英飞凌600V CoolMOS PFD7 SJ功率mosfet是一项革命性的高压功率mosfet技术，根据超结(SJ)原理设计，由英飞凌首创。最新的CoolMOS PFD7是一个优化的平台，专门针对消费市场中的成本敏感应用，如充电器、适配器、电机驱动器、照明等。新系列提供了快速开关超级结MOSFET的所有优点，并结合了卓越的价格/性能比和最先进的易用性水平。该技术满足最高的效率标准，支持高功率密度，使客户走向非常纤细的设计。

特性

由于从R(DS(on))*Q(g)和R(DS(on))*E(oss)中获得的非常低的值而导致极低的损失
低开关损耗E(oss)，优良的热性能
身体快速二极管
广泛的组合的R(DS(上))和包装变化

使高功率密度设计和小的形状因素
在更高的开关频率下，可实现效率增益
优秀的交换强度
易于选择正确的零件和优化设计

应用程序

推荐用于高密度充电器、适配器、照明和电机驱动应用中的ZVS拓扑。

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

上一篇：亚德诺半导体LTC3310S同步降压静默开关的介绍、特性、及应用

下一篇：Maxim DS28C39EVKIT认证评估系统的介绍、特性、及应用

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号

Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线：400-830-6691 粤ICP备05106676号经营许可证：粤B2-20210308