德州仪器LMG341xR050 GaN电源级的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-19

摘要： 德州仪器LMG341xR050 GaN电源级集成驱动器和保护，使设计人员在电力电子系统中实现功率密度和效率的新水平。与硅mosfet相比，LMG341x固有的优势包括超低的输入和输出电容，零反向恢复以减少高达80%的开关损耗，以及低的开关节...

德州仪器LMG341xR050 GaN电源级集成驱动器和保护，使设计人员在电力电子系统中实现功率密度和效率的新水平。与硅mosfet相比，LMG341x固有的优势包括超低的输入和输出电容，零反向恢复以减少高达80%的开关损耗，以及低的开关节点振铃以减少EMI。这些优点使得像图腾柱PFC这样的密集而高效的拓扑成为可能。

LMG341xR050通过集成一组独特的特性，简化设计，最大化可靠性和优化任何电源的性能，提供了传统cascode GaN和独立GaN fet的智能替代方案。集成的栅极驱动器可以实现100V/ns切换，几乎零Vds振铃。这提供了小于100ns的电流限制响应，防止意外射穿事件的自I保护，过热关机防止热失控，系统接口信号提供自I监控能力。

特性

TI GaN FET的可靠性符合应用中的硬开关加速应力曲线
实现高密度功率转换设计
- 与cascode或独立的GaN fet相比，优越的系统性能
- 低电感8mmx8mm QFN包易于设计和布局
- 可调驱动强度的开关性能和EMI控制
- 数字故障状态输出信号
- 只需要+12V非调节电源
集成门驱动器
- 共源电感为零
- MHz操作的20ns传播延迟
- 调整栅偏置电压以补偿门限变化，确保可靠的开关
- 25至100V/ns用户可调的回转率

强大的保护
- 不需要外部保护组件
- 过流保护，响应小于100ns
- 大于150V/ns杀伤率免疫
- 瞬态过电压的免疫力
- 超温保护
- 所有供电轨道上的电压过低锁定(UVLO)保护
强大的保护
- LMG3410R050:锁存过流保护
- LMG3411R050:逐周期过流保护