Infineon Technologies optimmos PD (Power Delivery) mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-19

摘要： 英飞凌技术optimmos PD (Power Delivery) mosfet是USB-PD和快速充电器设计的理想选择，支持较短的交货时间和快速报价响应时间。PQFN 3.3mm x 3.3mm和SuperSO8封装中的逻辑级mosfet...

英飞凌技术optimmos PD (Power Delivery) mosfet是USB-PD和快速充电器设计的理想选择，支持较短的交货时间和快速报价响应时间。PQFN 3.3mm x 3.3mm和SuperSO8封装中的逻辑级mosfet经过优化，可用于充电器和适配器25V到150V SMPS应用中的同步整流。逻辑级驱动提供了低门极阈值电压(V(GS(th)))，允许中低电压mosfet从4.5V或直接从微控制器驱动，从而降低了应用中的部件计数。

特性

小包装低R(DS(on))，不增加费用
最高的效率和功率密度设计
低栅极电荷(Q(g))减少开关损耗而不影响传导损耗
降低总损耗和开关损耗
低反向恢复电荷(Q(rr))和低输出电荷(Q(oss))
同步整流超调量小

逻辑电平兼容性
逻辑级部件可以从4.5V完全驱动或直接从微控制器(缓慢切换)驱动
支持高开关频率
应用中产生的热量少
改进了在高开关频率下操作的性能指标
优秀的热行为

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