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英飞凌技术700V CoolMOS P7功率晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-19

摘要： 英飞凌技术700V CoolMOS P7功率晶体管实现了高功率密度设计和小尺寸因数的反激式拓扑，如充电器、适配器和照明应用。功率晶体管为高压功率场效应管提供更高开关频率下的效率增益。低温700V CoolMOS P7晶体管提供理想的热性能和...

英飞凌技术700V CoolMOS P7功率晶体管实现了高功率密度设计和小尺寸因数的反激式拓扑，如充电器、适配器和照明应用。功率晶体管为高压功率场效应管提供更高开关频率下的效率增益。低温700V CoolMOS P7晶体管提供理想的热性能和低开关损耗。该器件还具有集成静电放电(ESD)保护二极管。

特性

低开关损耗(E(OSS))
高效
优秀的热行为
允许高速开关
集成保护齐纳二极管
优化后的V((GS)th)为3V，公差很窄，为±0.5V
细毕业组合
成本竞争技术

与C6技术相比，效率增益可达2.4%，器件温度可降低12K
在更高的开关速度下获得更高的效率
支持更小的磁性尺寸，降低BOM成本
高防静电强度达到HBM 2级
更小的形状因数和高功率密度设计的使能器

应用程序

充电器
适配器
电视

照明
音频
辅助动力

测试电路

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