UnitedSiC UF3SC高性能SiC FET是一种具有RDS(on)和10毫欧的SiC FET的碳硅器件，用于快速切换和更低的开关损耗。这是基于一个独特的cascode电路配置，并展示了超低的门电荷。cascode配置采用与硅MOSFET共封装的正常开启SiC FET来生产正常关闭SiC FET器件。UF3SC fet具有标准栅极驱动特性，允许真正的“插入式替换”Si igbt、Si fet、SiC mosfet或Si超级结器件。这些碳化硅场效应晶体管具有低的固有电容和优良的反向恢复性能。UF3SC fet工作在-55°C到+175°C温度范围和-20V到+20V栅源电压范围。这些SiC fet非常适合用于电动汽车充电、光伏逆变器、电机驱动器、开关模式电源、功率因数校正模块和感应加热。