摘要: 意法半导体STH13N120K5-2AG n通道功率MOSFET采用基于创新专利垂直结构的MDmesh K5技术。其结果是在需要优越功率密度和高效率的应用中,导通电阻和超低栅电荷的显著减少。该设备符合AEC-Q101认证,齐纳保护。特性AE...
意法半导体STH13N120K5-2AG n通道功率MOSFET采用基于创新专利垂直结构的MDmesh K5技术。其结果是在需要优越功率密度和高效率的应用中,导通电阻和超低栅电荷的显著减少。该设备符合AEC-Q101认证,齐纳保护。
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