摘要: 意法半导体汽车级碳化硅功率MOSFET采用了ST公司先进和创新的第二代SiC MOSFET技术。该器件具有单位面积的低导通电阻和非常好的开关性能。mosfet具有非常高的工作温度能力(TJ = 200°C),以及非常快速和稳健的本构体二极管...
意法半导体汽车级碳化硅功率MOSFET采用了ST公司先进和创新的第二代SiC MOSFET技术。该器件具有单位面积的低导通电阻和非常好的开关性能。mosfet具有非常高的工作温度能力(TJ = 200°C),以及非常快速和稳健的本构体二极管。
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