亚德诺半导体HMC8192 MMIC I/Q混频器HMC8192 MMIC I/Q混频器HMC8192 MMIC I/Q混频器HMC8192 MMIC I/Q混频器HMC8192 MMIC I/Q混频器射频(RF)和本地振荡器(LO) 20 ghz 42 ghz范围和一个中频带宽(如果)直流5 ghz, HMC8192LG是理想的应用程序需要一个宽的频率范围内,优秀的射频性能,用更少的组件和一个简单的设计和一个小的印刷电路板(PCB)足迹。在设计中，单个HMC8192LG可以代替多个窄带混频器。

HMC8192LG固有的I/Q架构提供了出色的图像抑制，消除了对不需要的边带进行昂贵的滤波的需要。混频器还提供良好的LO到RF和LO到IF隔离，并减少LO泄漏的影响，以确保信号的完整性。

作为一个无源混频器，HMC8192LG不需要任何直流电源。与有源混频器相比，HMC8192LG提供了更低的噪声数字，确保高性能和精密应用的优越动态范围。

HMC8192LG采用砷化镓(GaAs)、金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺，并使用模拟设备公司的混频器单元和90°混合电路。HMC8192LG紧凑，4.00mm×4.00mm, 25端地栅阵列腔(LGA_CAV)封装，工作温度范围在-40°C到+85°C。

特性

• 无源，宽带I/Q混频器

• RF和LO量程:20GHz至42GHz

• 直流中频宽至5GHz

• 单端RF, LO和IF

• 转换损耗:9dB典型*

• 图像拒绝:典型的25dBc

• 噪声系数:典型为12dB

• 输入IP3(下变频器):典型24dBm

• 输入P1dB(下变频器)压缩:典型为17dBm

• 输入IP2: 55dBm典型
  
  *所有额定值在20GHz至32GHz，除非另有说明

• LO到RF隔离:42dB

• LO到IFx隔离:45dB

• RF到IF隔离:35dB

• 振幅平衡:典型±1dB

• 相平衡(下变频器):典型±8°

• RF回波损耗:典型为12dB

• 回线损耗:典型为10dB

• IFx返回损耗:典型为20dB

• 外露垫，4.00mm x 4.00mm, 25端子LGA_CAV包

应用程序

• 测试测量仪器

• 军事、雷达、航空航天和国防应用

• 微波点对点基站

框图,销名称

典型应用电路