Infineon Technologies FF900R12ME7_B11双IGBT模块的介绍、特性、及应用
摘要:
Infineon Technologies FF900R12ME7_B11双IGBT模块具有EconoDUAL 3、Dual TRENCHSTOP IGBT7模块、NTC和PressFIT触点技术。这种IGBT模块具有高功率密度、改进的端子...
Infineon Technologies FF900R12ME7_B11双IGBT模块具有EconoDUAL3、Dual TRENCHSTOPIGBT7模块、NTC和PressFIT触点技术。这种IGBT模块具有高功率密度、改进的端子和集成的NTC温度传感器。FF900R12ME7_B11模块的组装简单可靠,避免了IGBT模块的并联。该IGBT模块可存储在-40°C至125°C的温度范围内。FF900R12ME7_B11模块包括优化的爬电距离,适用于1500V PV应用,压接控制引脚和螺丝电源端子。该IGBT模块非常适合用于电机控制设备、太阳能系统、伺服驱动器和UPS系统的解决方案。
特性
- 电气特性:
- 集成温度传感器
- TrenchstopIGBT 7
- 温度系数为正的VCE(sat)
- 机械特点:
- 更高的逆变器输出电流为相同的帧大小
- 简化了逆变器系统,降低了系统成本
- 装配简单可靠
- 高连接可靠性
规范
- 1200 v collector-emitter电压
- 900A连续直流集电极电流
- 1800A重复峰值集电极电流
- 存储温度范围为-40℃~ 125℃
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