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Infineon Technologies FF900R12ME7_B11双IGBT模块的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2021-07-15

摘要: Infineon Technologies FF900R12ME7_B11双IGBT模块具有EconoDUAL 3、Dual TRENCHSTOP IGBT7模块、NTC和PressFIT触点技术。这种IGBT模块具有高功率密度、改进的端子...

Infineon Technologies FF900R12ME7_B11双IGBT模块具有EconoDUAL3、Dual TRENCHSTOPIGBT7模块、NTC和PressFIT触点技术。这种IGBT模块具有高功率密度、改进的端子和集成的NTC温度传感器。FF900R12ME7_B11模块的组装简单可靠,避免了IGBT模块的并联。该IGBT模块可存储在-40°C至125°C的温度范围内。FF900R12ME7_B11模块包括优化的爬电距离,适用于1500V PV应用,压接控制引脚和螺丝电源端子。该IGBT模块非常适合用于电机控制设备、太阳能系统、伺服驱动器和UPS系统的解决方案。

特性

  • 电气特性:
    • 集成温度传感器
    • TrenchstopIGBT 7
    • 温度系数为正的VCE(sat)
  • 机械特点:
    • 高功率密度
    • 孤立的底座
    • 压入接触技术
    • 标准的住房
  • 更高的逆变器输出电流为相同的帧大小
  • 简化了逆变器系统,降低了系统成本
  • 装配简单可靠
  • 高连接可靠性

规范

  • 1200 v collector-emitter电压
  • 900A连续直流集电极电流
  • 1800A重复峰值集电极电流
  • 存储温度范围为-40℃~ 125℃

应用程序

  • 高功率转换器
  • 商业化的农业工具
  • 马达驱动器
  • 伺服驱动器
  • UPS系统

FF900R12ME7_B11电路表示


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