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亚德诺半导体ADRF5549双通道射频fem的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2021-07-14

摘要: 亚德诺半导体ADRF5549双通道射频前端模块(FEMs)是专为1.8GHz到2.8GHz的TDD (Time Division Duplexing)应用设计的。这些多芯片模块配置为双通道,具有级联、两级、低噪声放大器(LNA)和大功率硅...


    亚德诺半导体ADRF5549双通道射频前端模块(FEMs)是专为1.8GHz到2.8GHz的TDD (Time Division Duplexing)应用设计的。这些多芯片模块配置为双通道,具有级联、两级、低噪声放大器(LNA)和大功率硅单极双投(SPDT)开关。ADRF5549 feems具有高功率处理能力、低电流供应、高隔离和低插入损耗。这些模块符合rohs标准,紧凑的6mm x 6mm尺寸,和40引线,引线框架芯片规模封装(LFCSP)。典型的应用包括无线基础设施、基于TDD的通信系统、TDD海量多输入多输出(MIMO)和有源天线系统。


    特性

    • 集成双通道射频前端模块:

      • 2级LNA和大功率SPDT开关

      • 片上偏压和匹配

      • 单电源操作

    • 获得:

      • 高增益模式:在2.3GHz时,典型为35dB

      • 低增益模式:2.3GHz,典型为17dB

    • 低噪声图:

      • 高增益模式:1.4dB典型,2.3GHz

      • 低增益模式:1.4dB典型,2.3GHz

    • 高隔离:

      • RxOUT-ChA和RxOUT-ChB之间:典型值为50dB

      • 在TERM-ChA和TERM-ChB之间,典型为62dB

    • 低插入损耗:在2.3GHz时,典型为0.6dB

    • 高功率处理在T(情况)= 105°C

    • 完整的一生:

      • LTE平均功率(9dB PAR): 40dBm

    • 单事件(10秒操作)

      • LTE平均功率(9dB PAR): 43dBm

    • 高OIP3: 32dBm典型

    • LNA的下电模式和低增益模式

    • 低电源电流:

      • 高增益模式:典型的85毫安在5V

      • 低增益模式:5V时典型35mA

    • 下电模式:5V下典型12mA

    • 积极的逻辑控制

    • 6毫米×6毫米尺寸

    • 40-lead LFCSP包


    应用程序

    • 无线基础设施

    • TDD-based通信系统

    • TDD海量多输入多输出(MIMO)和有源天线系统


    原理框图



    典型应用电路


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