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STMicroelectronics STWA70N65DM6 N-Channel 650V 68A功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-14

摘要： STWA70N65DM6 n通道650V 68A功率MOSFET是MDmesh DM6快速恢复二极管，采用到247长引线封装。STWA70N65DM6组合了非常低的恢复电荷(Q (rr))，非常低的恢复时间(t (rr))和极好的漏源电阻(...

STWA70N65DM6 n通道650V 68A功率MOSFET是MDmesh DM6快速恢复二极管，采用到247长引线封装。STWA70N65DM6组合了非常低的恢复电荷(Q (rr))，非常低的恢复时间(t (rr))和极好的漏源电阻(R (DS(on)))每个区域的高效开关行为。这些特性使该器件成为要求高的高效率桥接拓扑和ZVS(零电压开关)移相变换器的理想选择。

特性

身体快速恢复二极管
静电漏源闭合电阻(R(DS(on)):典型36毫欧，最大40毫欧
低栅极电荷、输入电容和电阻
栅源电压(V(GS)):±25V
100%雪崩测试

极高的dv/dt强度
Zener-protected
工作结温度范围(TJ): -55°C至1+50°C
封装类型:至247长引线
ECOPACK包:符合REACH, RoHS和EL标准

应用程序

切换应用程序

测试电路

计划大纲,维

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