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ON Semiconductor superet III 650V N-Channel MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-13

摘要： ON Semiconductor superet III 650V 190毫欧n通道MOSFET是各种电力系统小型化和更高效率的理想选择。该器件利用了电荷平衡技术以降低导通电阻和较低的栅极充电性能。该技术可将导电损耗降至最低，提供卓越的开关...

ON Semiconductor superet III 650V 190毫欧n通道MOSFET是各种电力系统小型化和更高效率的理想选择。该器件利用了电荷平衡技术以降低导通电阻和较低的栅极充电性能。该技术可将导电损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受极端的dv/dt速率。superet III 650V 190毫欧n通道mosfet是汽车车载充电器和混合动力汽车DC/DC变换器的理想选择。

规范

n沟道晶体管极性
1 x频道
- 263 - 3包装
SMD / SMT装配的风格
650V VDS漏源击穿
20A连续漏极电压
190毫欧R(DS(on))漏源电阻
电压30 v gate-source

5 v gate-source阈值
34数控闸极电荷
162 w功率损耗
3 ns下降时间
13 ns上升时间
无铅，符合RoHS要求
100%雪崩应力测试
工作温度范围:-55°C ~ +150°C

应用程序

汽车车载充电器
混合动力汽车用DC/DC变换器

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