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东芝π-MOS IV场效应晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-13

摘要： 东芝π-MOS IV型mosfet是低电压，单n通道mosfet的理想开关稳压应用。这些器件具有低漏源通阻、高正向转移导纳和低泄漏损耗。这些设备以3针通孔TO-220SIS (JEITA SC-67)和TO-3P(N) (JEITA SC-...

东芝π-MOS IV型mosfet是低电压，单n通道mosfet的理想开关稳压应用。这些器件具有低漏源通阻、高正向转移导纳和低泄漏损耗。这些设备以3针通孔TO-220SIS (JEITA SC-67)和TO-3P(N) (JEITA SC-65)封装提供。

特性

驱动电压类型:低压栅极驱动
最大漏源极导通电阻(R (DS(上))):2.1 0.0257欧姆欧姆(@V (GS) = -2.5 v)
极性:p沟道
漏源极电压(V(DSS)): -12V ~ -20V

栅源电压(V(GSS)):±10V
漏极电流(I(D)): -0.25A到-14A
功耗(P(D)): 0.15W ~ 1.25W
输入电容(C(ISS)): 21pF到1400pF

应用程序

开关式应用程序

产品选择指南

东芝分立设备包系列
东芝场效电晶体
东芝小型信号和逻辑设备

东芝小信号半导体
东芝U-MOSIX/U-MOSVIII系列低压mosfet

应用笔记

双极晶体管:电特性
双极晶体管:最大额定值
双极晶体管:条款
双极晶体管:热稳定性和设计
计算分立半导体器件的温度
MOSFET安全操作区域降额
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第1部分
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第2部分
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第3部分
绝缘栅双极晶体管
dv/dt速率对mosfet的影响
场效应晶体管雪崩强度
MOSFET栅驱动电路
MOSFET并联(并联功率MOSFET之间的寄生振荡)
MOSFET Self-Turn-On现象
功率场效应管的寄生振荡和振铃
功率mosfet:最大额定值

计划大纲

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