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东芝U-MOSIII场效电晶体的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-13

摘要： 东芝U-MOSIII mosfet是单通道和双通道mosfet的理想高速开关应用。这些mosfet提供了一个低漏源通阻和一个低电压栅极驱动。特性驱动电压类型:逻辑级栅极驱动最大漏源极通阻(R(DS(ON))): 0.0135欧姆到6.0欧姆(@...

东芝U-MOSIII mosfet是单通道和双通道mosfet的理想高速开关应用。这些mosfet提供了一个低漏源通阻和一个低电压栅极驱动。

特性

驱动电压类型:逻辑级栅极驱动
最大漏源极通阻(R(DS(ON))): 0.0135欧姆到6.0欧姆(@V(GS) = -2.5V)
漏源极电压(V(DSS)): -20V到+30V
栅源电压(V(GSS)):±8V ~±10V

漏极电流(I(D)): -14A到4.2A
功耗(P(D)): 0.1W ~ 1.25W
输入电容(C(ISS)): 12pF到3350pF

应用程序

开关稳压器

直流-直流转换器

产品选择指南

东芝分立设备包系列
东芝场效电晶体
东芝小型信号和逻辑设备

东芝小信号半导体
东芝U-MOSIX/U-MOSVIII系列低压mosfet

应用笔记

双极晶体管:电特性
双极晶体管:最大额定值
双极晶体管:条款
双极晶体管:热稳定性和设计
计算分立半导体器件的温度
MOSFET安全操作区域降额
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第1部分
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第2部分
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第3部分
绝缘栅双极晶体管
dv/dt速率对mosfet的影响
场效应晶体管雪崩强度
MOSFET栅驱动电路
MOSFET并联(并联功率MOSFET之间的寄生振荡)
MOSFET Self-Turn-On现象
功率场效应管的寄生振荡和振铃
功率mosfet:最大额定值

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