台湾半导体双n道功率场效应晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-12

摘要： 台湾半导体双n通道功率mosfet具有低漏源极通态电阻，最大限度地减少了导电损耗。这些器件使低栅极电荷能够实现快速开关。双n通道功率mosfet是无刷直流电机控制、电池电源管理和DC-DC变换器应用的理想选择。特性低R(DS(ON))，以减...

台湾半导体双n通道功率mosfet具有低漏源极通态电阻，最大限度地减少了导电损耗。这些器件使低栅极电荷能够实现快速开关。双n通道功率mosfet是无刷直流电机控制、电池电源管理和DC-DC变换器应用的理想选择。

特性

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