安森美半导体n通道80V汽车功率MOSFET可采用8mm×8mm扁平引线封装，非常适合紧凑和高效的设计。单n通道80V器件具有1.1毫欧R (DS )(漏源极导通电阻)。MOSFET包括可湿式侧翼选项，可用于增强光学检查。该设备还具有aec - q101资格和ppap能力，使它们适合汽车应用。

特性

• 1.1毫欧R(DS(on))(漏源电阻)

• 8mm x 8mm扁平引线紧凑设计

• SMD / SMT装配的风格

• 337A I(D)连续漏极电流

• 20 V V (g) (gate-source)

• 4V V(GS) th(栅源阈值)

• 80V V(DS)(漏源击穿)

• 147nC Q(g)(闸费)

• 300W P(D)(功耗)

• 19 ns下降时间

• 14 ns上升时间

• 66ns(类型)关闭延迟

• 29ns(类型)开机延迟

• AEC-Q101合格，PPAP能力强

• 通过无铅认证

• 工作温度范围:-55°C ~ +175°C

应用程序

• 换向器电池保护

• 电源开关(高侧驱动、低侧驱动、h桥等)

• ECU，底盘，车身负载开关