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东芝DTMOSIV-H场效电晶体的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-12

摘要： 东芝DTMOSIV-H型mosfet适用于要求高可靠性、功率效率和紧凑设计的应用，如用于服务器和电信基站的高效率开关电源，以及作为光伏逆变器的电源调节器。该DTMOSIV- h型mosfet在保持传统DTMOSIV的低通阻水平的同时，实现了...

东芝DTMOSIV-H型mosfet适用于要求高可靠性、功率效率和紧凑设计的应用，如用于服务器和电信基站的高效率开关电源，以及作为光伏逆变器的电源调节器。该DTMOSIV- h型mosfet在保持传统DTMOSIV的低通阻水平的同时，实现了高速开关性能，并且不损失功率。这是通过减少栅极和漏极之间的寄生电容来实现的，这也有助于提高功率效率和缩小产品尺寸。

特性

栅极模式优化，与传统的DTMOSIV相比，栅极漏电荷减少了45%
由于使用单一外延工艺，在高温下低导通电阻的小幅增加
低导通电阻系列
通道数量:1
晶体管极性:n沟道
门驱动:10 v
漏源击穿电压:600V
连续漏极电流:7.7A至61.8A
R(DS(ON) m)最大:0.04欧姆到0.135欧姆
包选项:DFN, TO-220, TO-220SIS, TO-247，

产品选择指南

东芝分立设备包系列
东芝场效电晶体
东芝小型信号和逻辑设备

东芝小信号半导体
东芝U-MOSIX/U-MOSVIII系列低压mosfet

应用笔记

双极晶体管:电特性
双极晶体管:最大额定值
双极晶体管:条款
双极晶体管:热稳定性和设计
计算分立半导体器件的温度
MOSFET安全操作区域降额
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第1部分
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第2部分
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第3部分
绝缘栅双极晶体管
dv/dt速率对mosfet的影响
场效应晶体管雪崩强度
MOSFET栅驱动电路
MOSFET并联(并联功率MOSFET之间的寄生振荡)
MOSFET Self-Turn-On现象
功率场效应管的寄生振荡和振铃
功率mosfet:最大额定值

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