东芝π-MOS VIII型场效应晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-12

摘要： 东芝π-MOS VIII型mosfet是10V栅极驱动，单n通道器件，基于东芝第八代平面半导体工艺，结合了高水平的电池集成和优化的电池设计。与前几代相比，该技术支持减少栅极电荷和电容，而不会失去低R的好处 (DS )。这些mosfet的额...

东芝π-MOS VIII型mosfet是10V栅极驱动，单n通道器件，基于东芝第八代平面半导体工艺，结合了高水平的电池集成和优化的电池设计。与前几代相比，该技术支持减少栅极电荷和电容，而不会失去低R的好处 (DS )。这些mosfet的额定电压为800V和900V，适用于诸如LED照明中的反激变换器、辅助电源和其他需要电流开关低于5.0A的电路。这些设备具有标准的220通孔尺寸，并采用表面安装的DPAK封装。

特性

驱动电压类型:10V栅极驱动
最大漏源极通阻(R(DS(ON))): 0.0031欧姆到2.1欧姆(@V(GS) = 10V)
漏源极电压(V(DSS)): 800V ~ 900V
栅源电压(V(GSS)):±30V

漏极电流(I(D)): 2A到10A
功耗(P(D)): 45W ~ 250W
输入电容(C(ISS)): 500pF到200pF

应用程序

开关稳压器
回程转换器

辅助电源
功率因数控制(PFC)

产品选择指南

东芝分立设备包系列
东芝场效电晶体
东芝小型信号和逻辑设备

东芝小信号半导体
东芝U-MOSIX/U-MOSVIII系列低压mosfet

应用笔记

双极晶体管:电特性
双极晶体管:最大额定值
双极晶体管:条款
双极晶体管:热稳定性和设计
计算分立半导体器件的温度
MOSFET安全操作区域降额
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第1部分
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第2部分
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第3部分
绝缘栅双极晶体管
dv/dt速率对mosfet的影响
场效应晶体管雪崩强度
MOSFET栅驱动电路
MOSFET并联(并联功率MOSFET之间的寄生振荡)
MOSFET Self-Turn-On现象
功率场效应管的寄生振荡和振铃
功率mosfet:最大额定值

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