东芝π-MOS VII型场效应晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-12

摘要： 东芝π-MOS VII型mosfet是10V栅驱动，单n通道器件，将π-MOS技术与平面工艺相结合，提供了广泛的电压和R选择 (DS )的评级。这些高压mosfet提供了漏极-源极电压范围从250V到650V，漏极电流范围从2A到20A。...

东芝π-MOS VII型mosfet是10V栅驱动，单n通道器件，将π-MOS技术与平面工艺相结合，提供了广泛的电压和R选择 (DS )的评级。这些高压mosfet提供了漏极-源极电压范围从250V到650V，漏极电流范围从2A到20A。π-MOS VII型mosfet提供了TO-220-3和TO-252通孔封装，以及紧凑的DPAK-3和PW-Mold-3表面安装封装。

特性

驱动电压类型:10V栅极驱动
最大漏源极通阻(R(DS(ON))): 0.1欧姆到4.3欧姆(@V(GS) = 10V)
漏源极电压(V(DSS)): 250V ~ 650V
栅源电压(V(GSS)):±20V ~±30V

漏极电流(I(D)): 2A至20A
功耗(P(D)): 30W ~ 102W
输入电容(C(ISS)): 380pF到1100pF

应用程序

开关电源
用于笔记本电脑和台式电脑的AC适配器

平板显示器
照明用镇流器

产品选择指南

东芝分立设备包系列
东芝场效电晶体
东芝小型信号和逻辑设备

东芝小信号半导体
东芝U-MOSIX/U-MOSVIII系列低压mosfet

应用笔记

双极晶体管:电特性
双极晶体管:最大额定值
双极晶体管:条款
双极晶体管:热稳定性和设计
计算分立半导体器件的温度
MOSFET安全操作区域降额
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第1部分
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第2部分
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第3部分
绝缘栅双极晶体管
dv/dt速率对mosfet的影响
场效应晶体管雪崩强度
MOSFET栅驱动电路
MOSFET并联(并联功率MOSFET之间的寄生振荡)
MOSFET Self-Turn-On现象
功率场效应管的寄生振荡和振铃
功率mosfet:最大额定值

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