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东芝U-MOSVI-H场效电晶体的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-12

摘要： 东芝u - mosv - h型mosfet是一种高速开关型mosfet，具有较小的栅电荷、低漏源通阻和高正向转移导纳。这些设备占用的空间很小，因为它们的DPAK和SOP Advance包又小又薄。特性驱动电压类型:逻辑级栅极驱动最大漏源极通...

东芝u - mosv - h型mosfet是一种高速开关型mosfet，具有较小的栅电荷、低漏源通阻和高正向转移导纳。这些设备占用的空间很小，因为它们的DPAK和SOP Advance包又小又薄。

特性

驱动电压类型:逻辑级栅极驱动
最大漏源极通阻(R(DS(ON))): 2.3毫欧到74.0欧姆(@V(GS) = 10V)
漏源极电压(V(DSS)): 40V ~ 60V
栅源电压(V(GSS)):±20V

漏极电流(I(D)): 6.1A至50.0A
功耗(P(D)): 1.5W ~ 60.0W
输入电容(C(ISS)): 850pF到5800pF

应用程序

高效DC-DC变换器的应用
笔记本电脑的应用

便携式设备的应用程序
马达驱动器

产品选择指南

东芝分立设备包系列
东芝场效电晶体
东芝小型信号和逻辑设备

东芝小信号半导体
东芝U-MOSIX/U-MOSVIII系列低压mosfet

应用笔记

双极晶体管:电特性
双极晶体管:最大额定值
双极晶体管:条款
双极晶体管:热稳定性和设计
计算分立半导体器件的温度
MOSFET安全操作区域降额
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第1部分
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第2部分
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第3部分
绝缘栅双极晶体管
dv/dt速率对mosfet的影响
场效应晶体管雪崩强度
MOSFET栅驱动电路
MOSFET并联(并联功率MOSFET之间的寄生振荡)
MOSFET Self-Turn-On现象
功率场效应管的寄生振荡和振铃
功率mosfet:最大额定值

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