摘要: AS29CF040-55CCIN并行闪存是一种5V内存组织为524,288字节的8位。该闪存将512KB的数据划分为4个扇区,提供了灵活的扇区擦除能力。AS29CF040-55CCIN闪存使用引脚I/O (0) I / O (7)用于数据和...
Alliance Memory AS29CF040-55CCIN并行闪存是一种5V内存组织为524,288字节的8位。该闪存将512KB的数据划分为4个扇区,提供了灵活的扇区擦除能力。AS29CF040-55CCIN闪存使用引脚I/O (0) I / O (7)用于数据和引脚 (0) (18)地址。这种内存可用的32脚PLCC包。
AS29CF040-55CCIN闪存只需要一个5V电源就可以进行读写操作。程序和erase函数使用内部产生和调节的电压。AS29CF040-55CCIN闪存是完全兼容JEDEC单电源闪存标准的软件命令集。这种存储器可以在标准EPROM程序中编程。
5V±10%用于读写操作
访问时间:
55 (max)。
电流:
20mA典型主动读电流
30mA典型程序/擦除电流
1µ典型的CMOS备用
灵活的部门架构:
保护扇区的一种硬件方法,以防止任何无心的程序或该扇区内的删除操作
8个统一的64KB扇区
任何扇区组合都可以被抹去
支持全芯片擦除
部门保护:
-40°C至85°C工业工作温度范围
嵌入式消除算法:
嵌入式擦除算法将自动擦除整个芯片或指定扇区的任何组合,并验证擦除扇区
嵌入式程序算法在指定的地址自动写入和验证字节
每个扇区至少100,000个程序/擦除周期
数据在125°C保存20年
可靠运行,保证系统的使用寿命
兼容JEDEC-standards:
Pinout和软件兼容单电源闪存标准
优越的无意写保护
数据轮询和切换位:
提供一种检测程序完成或擦除操作的软件方法
擦除暂停/擦除的简历:
暂停扇区擦除操作,从非擦除扇区读取数据或将数据写入非擦除扇区,然后继续擦除操作
方案选择:
32-pin PLCC
所有无铅产品都符合RoHS2.0标准
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