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东芝MOSV场效电晶体的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-09

摘要： 东芝MOSV mosfet是n通道mosfet，提供逻辑级栅驱动和低压栅驱动的变体。这些器件提供漏源极击穿电压(V (DS))范围为50V ~ 60V，并有栅源电压(V (GS)) 4V ~ 20V。这些设备在UFM, UF6, TSOP6...

东芝MOSV mosfet是n通道mosfet，提供逻辑级栅驱动和低压栅驱动的变体。这些器件提供漏源极击穿电压(V (DS))范围为50V ~ 60V，并有栅源电压(V (GS)) 4V ~ 20V。这些设备在UFM, UF6, TSOP6F和SOT-23F包提供设计灵活性。

特性

驱动电压类型:逻辑级栅极驱动和低压栅极驱动
最大漏源极导通电阻(R (DS(上))):0.44欧姆20欧姆(@V (GS) = -2.5 v)
极性:n沟道
漏源极电压(V(DSS)): 50V ~ 60V

栅源电压(V(GSS)):±7V ~±20V
漏极电流(I(D)): 0.1A至2.0A
功耗(P(D)): 0.2W ~ 1.0W
输入电容(C(ISS)): 7.0pF到150pF

应用程序

高速开关应用
模拟开关应用
继电器驱动程序

负荷开关
电机驱动程序
直流-直流转换器

产品选择指南

东芝分立设备包系列
东芝场效电晶体
东芝小型信号和逻辑设备

东芝小信号半导体
东芝U-MOSIX/U-MOSVIII系列低压mosfet

应用笔记

双极晶体管:电特性
双极晶体管:最大额定值
双极晶体管:条款
双极晶体管:热稳定性和设计
计算分立半导体器件的温度
MOSFET安全操作区域降额
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第1部分
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第2部分
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第3部分
绝缘栅双极晶体管
dv/dt速率对mosfet的影响
场效应晶体管雪崩强度
MOSFET栅驱动电路
MOSFET并联(并联功率MOSFET之间的寄生振荡)
MOSFET Self-Turn-On现象
功率场效应管的寄生振荡和振铃
功率mosfet:最大额定值

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