摘要: AS29CF160x-55TIN并行NOR闪存组织为2,097,152字节的8位或1,048,576字的16位每个。这些存储器使用pin I/O (0) I / O (7)用于8位数据和引脚I/O (0) I / O (15)用于...
Alliance Memory AS29CF160x-55TIN并行NOR闪存组织为2,097,152字节的8位或1,048,576字的16位每个。这些存储器使用pin I/O (0) I / O (7)用于8位数据和引脚I/O (0) I / O (15)用于16位数据。AS29CF160x-55TIN闪存有48引脚TSOP封装。这些记忆体被设计为在系统内编程与标准系统5V VCC电源。AS29CF160x-55TIN存储器只需要一个5V电源就可以实现读写功能。程序和erase函数使用内部产生和调节的电压。
AS29CF160x-55TIN闪存完全是软件命令集,与JEDEC单电源闪存标准兼容。这些存储器具有扇区擦除结构,允许存储器扇区被擦除和重新编程而不影响设备的数据内容。该省电特性允许设备放置在待机模式下,极大地降低功耗。
单电源运行:
4.5V到5.5V全电压范围内读写操作
访问时间:
55 ns (max)。
电流:
20mA典型主动读电流
30mA典型程序/擦除电流
6uA典型CMOS待机(WP = V(CC)或浮动)
灵活的部门架构:
保护扇区的一种硬件方法,以防止任何无心的程序或该扇区内的删除操作。临时扇区取消保护功能允许更改以前锁定的扇区的代码
16KB/ 8KB x 2/ 32KB/ 64KB x 31个扇区
8Kword/ 4Kword×2/ 16Kword/ 32Kword×31个扇区
任何扇区组合都可以被抹去
支持全芯片擦除
部门保护:
-40°C 85°C工业操作温度范围
解锁旁路程序命令
当发出多个程序命令序列时,减少总体编程时间
可用的顶部或底部引导块配置
嵌入算法
嵌入式擦除算法将自动擦除整个芯片或指定扇区的任何组合,并验证擦除扇区
嵌入式程序算法在指定的地址自动写入和验证数据
每个扇区至少100,000个程序/擦除周期
20年的数据保留在125°C
可靠运行,保证系统的使用寿命
CFI(通用Flash接口)兼容:
向系统提供特定于设备的信息,允许主机软件为不同的闪存设备轻松地重新配置
兼容JEDEC-standards:
Pinout和软件兼容单电源闪存标准
优越的无意写保护
数据轮询和切换位:
提供一种检测程序完成或擦除操作的软件方法
/准备/繁忙的销(变化):
提供一种检测程序完成或擦除操作的硬件方法
擦除暂停/擦除的简历:
暂停扇区擦除操作,从非擦除扇区读取数据或将数据写入非擦除扇区,然后继续擦除操作
硬件复位引脚(reset)
将设备重置为读取阵列数据的硬件方法
WP输入引脚(48引脚TSOP):
在V(IL),保护16Kbyte的引导扇区不被擦除,不管扇区是否处于保护/取消保护状态
在V(IH),允许删除引导扇区保护
方案选择:
48-pin TSOP(I)
所有无铅产品都符合RoHS2.0标准
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