Vishay SiZ240DT双n通道40V (D-S) MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-09

摘要： Vishay SiZ240DT双n通道40V (D-S) MOSFET具有TrenchFET Gen IV功率MOSFET技术，集成了高侧和低侧MOSFET在一个紧凑的PowerPAIR 3.3mm(2)封装中。SiZ240DT提供了最佳的...

Vishay SiZ240DT双n通道40V (D-S) MOSFET具有TrenchFETGen IV功率MOSFET技术，集成了高侧和低侧MOSFET在一个紧凑的PowerPAIR3.3mm(2)封装中。SiZ240DT提供了最佳的导通电阻和导通电阻倍栅电荷，这是用于功率转换应用的mosfet的关键优点(FOM)。

SiZ240DT中的两个沟槽场效应晶体管mosfet内部以半桥结构连接。SiZ240DT的1通道MOSFET，通常用作同步降压变换器的控制开关，在10V时提供8.05毫欧和4.5V时提供12.25毫欧的最大导通电阻。通道2 MOSFET是典型的同步开关，在10V时导通电阻为8.41毫欧，在4.5V时导通电阻为13.30毫欧。当结合6.9nC(通道1)和6.5nC(通道2)的低栅极电荷时，由此产生的导通电阻倍栅极电荷ffrom使快速开关应用的高效率成为可能。

SiZ240DT具有无线内部结构，最大限度地减少寄生电感，以实现高频开关，从而减少磁体尺寸和最终设计。其优化的栅漏电荷(Q(gd))与栅源电荷(Q(gs))比降低了噪声，进一步增强了器件的开关特性。SiZ240DT是100% Rg-和ui测试，符合RoHS，和无卤素。