东芝CMOS低压差稳压器的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-08

摘要： Toshiba TCR2EE/TCR2EF/TCR3DG/TCR4DG CMOS Low Dropout Regulators的特点是低压降、低输出噪声电压和快速负载瞬态响应。这些互补的金属氧化物半导体稳压器输出电压在1.0V到5.0V之间...

Toshiba TCR2EE/TCR2EF/TCR3DG/TCR4DG CMOS Low Dropout Regulators的特点是低压降、低输出噪声电压和快速负载瞬态响应。这些互补的金属氧化物半导体稳压器输出电压在1.0V到5.0V之间，能够驱动高达200mA。TCR2EE/TCr2EF/TCR3DG/TCR4DG还具有过流保护，自动放电功能。稳压器是敏感电源如模拟和射频应用的理想选择。

规范

TCR2EF / TCR2EE
- 较低的压差
  - V(DO) = 150mV (typ.) 3.0V输出，I(OUT) = 150mA
  - V(DO) = 180mV (typ.)在2.5V输出时，I(OUT) = 150mA
  - V(DO) = 230mV (typ.)在1.8V输出，I(OUT) = 150mA
  - V(DO) = 380mV (typ.)在1.2V输出，I(OUT) = 150mA
  - V(DO) = 510mV (typ.)在1.0V输出，I(OUT) = 150mA
TCR2EF / TCR2EE
- 低输出噪声电压
  - V(没有)= 35µVrms (typ) 2.5 V输出,I马 = 10,10 hz <f <100千赫)
- 快速负载瞬态响应
  - ⊿V =±60 mV (typ。)I = 1 mA⇔150 mA, C = 1.0µF)
- 低静态偏置电流
  - I(B) = 35µ(typ。)I马 = 0
- 高纹波抑制比
  - 在2.5V输出时，I(OUT) = 10mA, f = 1kHz
- 输出电压范围宽
  - V(OUT) = 1.0V至5.0V
  - 高V(OUT)精度±1.0% (1.8V = V(OUT))

TCR3DG / TCR4DG
- 低输出噪声电压
  - V(NO) = 38μVrms (Typ.)在2.5V输出，I(OUT) = 10mA, 10Hz <= f <= 100kHz
- 高纹波抑制
  - 在2.5 v输出时，I(OUT) = 10mA, f =1kHz
TCR3DG
- 较低的压差
  - v - v (OUT) = 160mV (Typ.) at 3.2 v output, I(OUT) = 300mA
- 快速负载瞬态响应
  - ⊿V =±80 mv (Typ。)I = 1⇔300 ma, C = 1.0μF
TCR4DG
- 较低的压差
  - V(DO) = 193mV (typ.)在3.3V输出，I(OUT) = 420mA
- 快速负载瞬态响应
  - ⊿V =±115 mv (typ。)I = 1⇔420 ma, C = 1.0μF