transhorm 650V GaN fet PQFN系列的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-29

摘要： transhorm 650V GaN fet PQFN系列是72毫欧氮化镓(GaN) fet，是正常关闭器件。PQFN系列结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术，导致卓越的可靠性和性能。通过较低的栅极电荷、较低的交叉损耗...

transhorm 650V GaN fet PQFN系列是72毫欧氮化镓(GaN) fet，是正常关闭器件。PQFN系列结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术，导致卓越的可靠性和性能。通过较低的栅极电荷、较低的交叉损耗和较小的反向恢复电荷，GaN FET提供了比硅更高的效率。

650V GaN fet PQFN系列与Si相比具有更高的效率和工作频率。该器件具有GSD引脚布局，允许改进的高速设计。其他的优点包括与其他常用的门驱动程序易于使用，支持AC-DC无桥式图腾柱PFC设计，以及非常低的Q(RR)。650V GaN fet PQFN系列是理想的数据通信，广泛的工业，光伏逆变器，伺服电机应用。