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罗姆半导体SiC四脚沟槽场效应晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-29

摘要： 罗姆半导体SiC(碳化硅)4引脚沟道mosfet封装在TO-247-4L封装中，具有单独的电源和驱动源引脚，消除了源引脚的电感，并提供更快的开关速度。碳化硅mosfet还提供了比传统硅解决方案更低的导通电阻和更快的恢复时间。这些SiC沟槽m...

罗姆半导体SiC(碳化硅)4引脚沟道mosfet封装在TO-247-4L封装中，具有单独的电源和驱动源引脚，消除了源引脚的电感，并提供更快的开关速度。碳化硅mosfet还提供了比传统硅解决方案更低的导通电阻和更快的恢复时间。这些SiC沟槽mosfet有650V和1200V的变种，非常适合用于服务器电源、太阳能逆变器和电动汽车充电站。

这些离散SiC mosfet的TO-246封装中包含的开尔文源管脚将栅极驱动回路与电源端子分离。因此，接通不会因为源电流上升引起的电压下降而减慢，从而显著降低接通损耗。

特性

650V和1200V可选
高效率的4针247- 4l封装
单独的电源和驱动源引脚
低导通电阻
转换速度快

反向恢复快
容易并行
简单的驱动
结温(T(J)): +175°C
不含Pb，符合RoHS要求

应用程序

太阳能逆变器
直流-直流转换器
开关式电源

感应加热
马达驱动器
电动汽车充电站

销名称

方案的比较

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