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Vishay Siliconix第4代EF系列mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-29

摘要： Vishay Siliconix第4代EF系列mosfet提供了极低的性能值(FOM)评级，用于高性能开关和高效率。MOSFET FOM计算为导通电阻(R(DS)ON))乘以栅极电荷(Q(g))。基于Vishay第4代系列超级结技术，这些m...

Vishay Siliconix第4代EF系列mosfet提供了极低的性能值(FOM)评级，用于高性能开关和高效率。MOSFET FOM计算为导通电阻(R(DS)ON))乘以栅极电荷(Q(g))。基于Vishay第4代系列超级结技术，这些mosfet具有在V(GS)=10V时0.088欧姆到0.225欧姆的低通阻范围，以及低到21nC的超低栅极电荷。为了提高开关性能，这些器件还提供低有效输出电容(Co(er)和Co(tr)))。这些数值转化为减少传导和开关损耗，以节省能源。

Vishay Siliconix第4代EF系列mosfet采用PowerPAK8x8和to - 220ab封装提供，符合RoHS要求，无halogen，并设计为在雪崩模式下承受过电压瞬态，通过100% ui测试保证极限。

特性

第四代E系列技术
低成绩数字(R((DS)ON)) xq (g))
低有效电容(Co((er)))
减少开关和传导损耗
额定雪崩能量(ui)

工作、连接和存储温度范围:-55°C ~ +150°C
包选项:PowerPAK 8 x 8, TO-220AB
通过无铅认证
无卤素

应用程序

服务器和通信电源
开关模式电源(SMPS)
功率因数校正电源(PFC)
照明
- 高强度放电(HID)
- 荧光灯镇流器照明

工业
- 焊接
- 感应加热
- 马达驱动器
- 电池充电器
- 太阳能(光伏逆变器)

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