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ON Semiconductor FCMT360N65S3 superet III Easy-Drive的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2021-06-29

摘要: FCMT360N65S3 superet III Easy-Drive是一种高压超级结(SJ) MOSFET,利用电荷平衡技术实现了出色的低导通电阻和低栅电荷性能。该技术可将导电损耗降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受极端的dv/dt速率...

FCMT360N65S3 superet III Easy-Drive是一种高压超级结(SJ) MOSFET,利用电荷平衡技术实现了出色的低导通电阻和低栅电荷性能。该技术可将导电损耗降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受极端的dv/dt速率。易驱动技术有助于管理EMI问题,并允许更容易的设计实现。

FCMT360N65S3采用超薄、表面安装的Power88封装,由于低寄生源电感和分离的电源和驱动源,提供出色的开关性能。Power88套件具有1级的湿度敏感性。


特性

  • 700V @ T(J) = 150°C
  • 开尔文联系
  • 超低栅电荷(Q(g)):典型值为18nC
  • 低有效输出电容(C(oss(eff))):典型173pF
  • 优化电容
  • 导通电阻(R(DS(on))): 310毫欧典型
  • 100%雪崩测试
  • 内部栅极电阻(R(g)): 1欧姆
  • 湿度敏感性1级
  • 包装类型:Power88
  • 包装尺寸:8mm x 8mm x 1mm
  • 不含Pb,符合RoHS要求

应用程序

  • 计算机和显示电源
  • 电信和服务器电源
  • 工业电源
  • 照明
  • 充电器和适配器

内部原理图



计划大纲


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