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摘要： 安森美半导体LFPAK4工业功率mosfet是单n沟道mosfet，占地面积小5mm×6mm，非常适合紧凑设计。这些器件具有较低的漏源通阻以最小化传导损耗，以及较低的栅极电荷和电容以最小化驱动损耗。这些工业级功率mosfet是无铅的，符合RoHS
安森美半导体LFPAK4工业功率mosfet是单n沟道mosfet，占地面积小5mm×6mm，非常适合紧凑设计。这些器件具有较低的漏源通阻以最小化传导损耗，以及较低的栅极电荷和电容以最小化驱动损耗。这些工业级功率mosfet是无铅的，符合RoHS，并具有宽，-55°C到+175°C的工作温度范围。
占地面积小(5mm x 6mm)，设计紧凑
低R(DS(on))以减少传导损耗
低Q(G)和电容，以减少驱动器损耗
行业标准LFPAK4包
不含Pb，符合RoHS要求
开关式电源
太阳能逆变器
不间断电源
感应加热设备
马达驱动器
风能转换器
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