摘要: 亚德诺半导体HMC784A高功率SPDT开关适用于在高输入信号功率水平下需要非常低失真的发射-接收应用。该设备控制信号从直流到4 GHz,并提供卓越的互调性能;比;+60dBm三阶截距+5V偏压。当“OFF”时,RF1和RF2是反光短裤。...
亚德诺半导体HMC784A高功率SPDT开关适用于在高输入信号功率水平下需要非常低失真的发射-接收应用。该设备控制信号从直流到4 GHz,并提供卓越的互调性能;比;+60dBm三阶截距+5V偏压。当“OFF”时,RF1和RF2是反光短裤。片上电路允许在非常低的直流电流下从+3VDC到+8 VDC的单个正电源操作,控制输入与CMOS逻辑家族兼容。这些器件被封装在一个8导程MSOPG封装中。
输入P1dB: +40dBm @ V(DD) = +8V
高三阶截距:+60dBm
阳性对照:+3 ~ +8V
低插入损耗:0.3dB
MSOP8G包:14.8毫米(2)
细胞/ 4 g的基础设施
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