安森美ON Semiconductor FDMS4D5N08LC 80V单n通道功率MOSFET采用先进的PowerTrench工艺生产，该工艺集成了屏蔽栅技术。该过程已经过优化，以减少通态电阻，同时保持一流的软体二极管的优越开关性能。

FDMS4D5N08LC MOSFET采用功率四轴扁平无铅(PQFN)封装，无Pb，无卤化物，符合RoHS要求。

特性

• 屏蔽栅MOSFET技术

• Max R(DS(on)) = 4.2毫欧@ V(GS) = 10V, ID = 37A

• Max R(DS(on)) = 6.1毫欧@ V(GS) = 4.5V, ID = 29A

• 漏极到源极电压(V(DS)): 80V @连续T(C) = 25°C

• 漏极电流(I(D)): 116A

• 低反向恢复充电(Q(rr)):典型38nC

• 降低开关噪声/ EMI

• MSL1稳健的包装设计

• 逻辑电平驱动能力

• 100% UIL测试

• 工作和存储结温度范围:-55°C ~ +150°C

• 包装类型:PQFN-8

• 包装尺寸:5mm x 6mm

• 无Pb、无卤化物、符合RoHS要求

应用程序

• 主直流-直流场效电晶体

• DC-DC和AC-DC的同步整流器

• 马达驱动器

• 太阳能

内部原理图

结构图