东芝TK16x60W Si n沟道mosfet (DTMOSIV)的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-25

摘要： 东芝TK16x60W Si n沟道mosfet (DTMOSIV)展示了DTMOSIV一代的芯片设计，并有不同的变体。硅沟道mosfet具有低漏源通阻和快速反向恢复时间的特点。这些mosfet可以很容易地控制栅开关。TK16x60W mos...

东芝TK16x60W Si n沟道mosfet (DTMOSIV)展示了DTMOSIV一代的芯片设计，并有不同的变体。硅沟道mosfet具有低漏源通阻和快速反向恢复时间的特点。这些mosfet可以很容易地控制栅开关。TK16x60W mosfet有不同的尺寸，有DFN8x8, TO-247, TO-3P(N)， D2PAK, TO-220，和TO-220SIS不同的包。这些TK16x60W Si n通道mosfet用于开关稳压器。

特性

0.16欧姆到0.196欧姆R(DS(ON))低漏源极通阻
易于控制门开关
2.7V ~ 4.5V V(th)增强模式

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