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Qorvo QPD0305 3.4GHz至3.8GHz GaN射频晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-25

摘要： Qorvo QPD0305 3.4GHz至3.8GHz氮化镓射频晶体管是一种双通道离散的碳化硅上的高电子迁移率氮化镓晶体管(GaN on SiC HEMT)，封装在紧凑的DFN封装中。每条路径提供了一个单级放大晶体管，能够在+48V下提供2...

Qorvo QPD0305 3.4GHz至3.8GHz氮化镓射频晶体管是一种双通道离散的碳化硅上的高电子迁移率氮化镓晶体管(GaN on SiC HEMT)，封装在紧凑的DFN封装中。每条路径提供了一个单级放大晶体管，能够在+48V下提供22.5W的饱和输出功率(PSAT)。QPD030的线性增益为20dB，漏极效率为75.9%。

特性

工作频率范围为3400MHz ~ 3800MHz
20 w输出功率
20 db线性增益
43.5 dbm P(坐)
排水效率为75.9%

+48V工作漏极电压
32.5 ma静态电流
7.0mm x 6.5mm DFN封装
通过无铅认证

应用程序

w - cdma / LTE
宏单元基站驱动程序
微蜂窝基站
小细胞

有源天线
5 g大规模分布式天线
对称Doherty应用程序

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