摘要: Qorvo QPD0405 4.4GHz至5.0GHz氮化镓射频晶体管是一种双通道离散氮化镓在碳化硅上的高电子迁移率晶体管(氮化镓在SiC HEMT上),封装在紧凑的DFN封装中。每条路径提供了一个单级放大晶体管,能够在+48V下提供22W...
Qorvo QPD0405 4.4GHz至5.0GHz氮化镓射频晶体管是一种双通道离散氮化镓在碳化硅上的高电子迁移率晶体管(氮化镓在SiC HEMT上),封装在紧凑的DFN封装中。每条路径提供了一个单级放大晶体管,能够在+48V下提供22W的饱和输出功率(P(SAT))。该QPD040提供了15.4dB的线性增益,具有75%的漏极效率。
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