Qorvo QPD0210双GaN射频晶体管的介绍、特性、及应用 - 华强商城

电子元器件产业互联网平台

焦点资讯商城动态独家观点业界资讯行情分析

技术方案 DataSheet 传感器连接器

国内展会商城促销视频

原厂资讯原厂专区合作入驻

您所在的位置：首页 > 技术资料 > 技术方案 > Qorvo QPD0210双GaN射频晶体管的介绍、特性、及应用

Semiconductors

Qorvo QPD0210双GaN射频晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-25

摘要： Qorvo QPD0210双氮化镓射频晶体管是封装在DFN封装中的SiC高电子迁移率晶体管(HEMTs)上的双通道离散氮化镓。这些双射频晶体管的工作频率范围在1.8GHz到2.7GHz之间。QPD0210双氮化镓射频晶体管可以在48V电压下...

Qorvo QPD0210双氮化镓射频晶体管是封装在DFN封装中的SiC高电子迁移率晶体管(HEMTs)上的双通道离散氮化镓。这些双射频晶体管的工作频率范围在1.8GHz到2.7GHz之间。QPD0210双氮化镓射频晶体管可以在48V电压下通过每条路径提供16.6W的P(SAT)。应用包括WCDMA / LTE、宏蜂窝基站驱动程序、微蜂窝基站、小蜂窝、有源天线和5G海量MIMO。

规范

工作频率范围1.8GHz ~ 2.7GHz
48V工作漏极电压
16.6W输出功率(P(SAT))

排水效率为71.9%
18.8 db线性增益

应用程序

WCDMA / LTE
宏单元基站驱动程序
微蜂窝基站

小细胞
有源天线
5 g大规模分布式天线

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

上一篇：罗姆半导体ML62Q1747参考板的介绍、特性、及应用

下一篇：Cypress Semiconductor cy8ckit -148线圈分线路板的介绍、特性、及应用

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号

Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线：400-830-6691 粤ICP备05106676号经营许可证：粤B2-20210308