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英飞凌技术12V-250V p通道功率场效应晶体管的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2021-06-24

摘要: 英飞凌12V-250V p通道功率mosfet为设计人员提供了一种新的选择,可以在优化性能的同时简化电路。p通道器件的主要优点是在中、低功耗应用中降低了设计的复杂性。p通道功率mosfet非常适合于电池保护、反向极性保护、线性电池充电器、负...

英飞凌12V-250V p通道功率mosfet为设计人员提供了一种新的选择,可以在优化性能的同时简化电路。p通道器件的主要优点是在中、低功耗应用中降低了设计的复杂性。p通道功率mosfet非常适合于电池保护、反向极性保护、线性电池充电器、负载开关、DC-DC变换器和低压驱动应用。

特性

  • p沟道
  • 低导通电阻R (DS(上))
  • 100%雪崩测试
  • 逻辑电平或正常电平
  • 增强型
  • Pb-Free镀铅;通过无铅认证
  • 符合IEC61249-2-21标准

应用程序

  • 电池保护
  • 反极性保护
  • 线性电池充电器
  • 负荷开关
  • 直流-直流转换器
  • 低电压驱动
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