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Bourns P4SMA-Q暂态电压抑制二极管的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2021-06-24

摘要: Bourns P4SMA-Q暂态电压抑制二极管满足了半导体行业开发越来越小的电子元件的挑战。这些器件提供5.8V到214V的工作电压,6.8V到250V的击穿电压,400W的功耗,以及双向或单向极性。P4SMA-Q瞬态电压抑制二极管符合JE...

Bourns P4SMA-Q暂态电压抑制二极管满足了半导体行业开发越来越小的电子元件的挑战。这些器件提供5.8V到214V的工作电压,6.8V到250V的击穿电压,400W的功耗,以及双向或单向极性。P4SMA-Q瞬态电压抑制二极管符合JEDEC标准。表面安装二极管为电涌和ESD应用提供保护,包括电信,计算机,工业和消费电子产品。

特性

  • 表面装配SMA包
  • 5.8V ~ 214V工作电压
  • 6.8V至250V击穿电压
  • 400 w功率损耗
  • 双向和单向极性
  • AEC-Q101兼容
  • 无卤素
  • 通过无铅认证

应用程序

  • 电源母线保护
  • I/O接口保护
  • 过电压暂态保护
  • 电信,计算机,工业和消费电子应用
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